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型半导体； （五价元素的杂质[磷、锑或砷]）成为N 型半导体。在杂质半导体中，多数载 流子的数目取决于（杂质浓度）。 P6 二极管符号，三角箭头的指向是：Ｐ到Ｎ P8 二极管按内部结构分：点接触、面接触、平面型。 点接触：PN 结面积小，结电容小，适用于高频电路，但只能通过较小的电流。 面接触：大、大、低频、大。 平面型：截面小，电容小，使用数字电路；截面大，通过电流大。 二极管两端施加400Hz 交流电压时，通过二极管的电流（D 是半波直流电流）。 二极管两端所施加的电压（ A 可以是交流电压或直流电压）。 P13 单相半波整流电路晶体管的电压？单相半波整流电路负载电流？ 负载RL 晶体管 半波UL = 0.45 U2 IL=0.45U2/RL URM = 2 U2 全波URM=2 2 U2 全波桥式 UL = 0.9 U2 IL= 0.9 U2/RL URM= 2 U2 IF= 0.45 U2/RL 倍压 （N 倍） UL ≈N 2 U2 IL≈N 2 U2/RL URM ≈2 2 U2 IF ≈ N 2 U2/RL P16 倍压电路原理：利用电容充放电作用。 整流电路增加滤波电容后输出电压将（增大）。 经过（3）次电容充放电后倍压整流电路的输出电压值为3 2 U。 P19 箝位电路的作用：信号波形的幅值或电位的限制。 P19 二极管的串并联知识； 串联总的反向工作峰值电压成倍增长；反向电阻最大的先击穿，其他的陆续击 穿。并联总的电流成倍增长，正向电阻小的电流大先烧毁。 P20 稳压管工作状态：反向击穿区，但不破坏；正反向都能工作。 P20 变容二极管的反向电压增大时？相当于电容极板距离增大，电容减小。 变容二极管工作于：反向截止状态 P21 PIN 二极管高频工作近似于？可变电阻，阻值随电流增大而减小。 P23 发光二极管的亮度与什么有关? 随通过的正向电流成正比增加，电流过大 亮度的增加趋缓。正向导通电压：1.35~1.5 反向截止：-3~-6 正向工作的二极管是：变容，稳压，光电，电光（发光二极管） P23 光敏二极管是光能转换为电能的一种半导体器件。（光电） P24 光敏二极管光照的越强,电阻和电流的变化？答案：电流越大，电阻越小。 P25 可控硅（晶闸管）用于什么电路里？用在大功率整流、逆变、调压电路中。 不使用晶闸管的电路是（小功率的变压整流器） 可控硅的三级：阴极K、阳极A、控制极G 晶闸管导通条件：阳极加正向电压，控制极加正向电压 晶闸管关断条件：只有阳极电流小于其维持电流时才能关断。 晶闸管是可控的单向导电开关 1.2 双极型晶体三极管22/80 P31 双极型晶体三极管放大原理：IB 控制IC P33 三极管静态电流放大系数的计算；hFE = IC/IB IC = βIB IE= IB + IC P33 三极管管角识别： ① 管脚以等腰三角形排列，顶点是基极B，左边发射极E，右边集电极C ② 管脚一字排列，中间是基极B，管脚短的是集电极C 或C 距其他电极最远 ③ 大功率三极管的壳体是集电极C P34 三极管的输入特性曲线？ IB = f(UBE) 输出特性IC = f(UCE) P35 Uce>1V 后的输入特性曲线基本上是重合的。 P35 NPN 型工作于放大状态，发射结正偏，集电结反偏； 截止时，发射结和集电结都反偏；管饱和时，发射结和集电结都正偏. UBE=0.6V UBC= -4.4V 问三极管的类型？（硅、锗、PNP、NPN） Ue=0,Ub=0.6,Uc=5 则该三极管为（NPN 型Si 三极管）。 P36 三极管放大器中β越大则？（放大能力强、稳定性变差） 三极管温度升高后ICBO怎么变? ICBO 增加很快，ICEO 增加也快，IC 也相应增加， 管子稳定性差。当IC 超过一定值时，β下降。 P37 发射级、基极、集电极哪极电流最大？发射极 三极管的输出信号接在哪个级（集电极） 三极管电流流入方向：IE、IB、IC 分别是流入还是流出？IBIC 流入、IE 流出 2 PNP 型三极管E 极电位（最高）